IC製造過程中去（qù）除光刻膠

光刻膠的去除在IC製造工藝（yì）流程中占（zhàn）非常重要的地位，其成本（běn）約占IC製造工藝的20-30%，光（guāng）刻膠去（qù）膠效果太弱影響生產效率，去膠（jiāo）效果太強容易造成基底（dǐ）損傷，影響整（zhěng）個產品的成品率 。傳統主流去膠方法采用濕法去膠，成本低（dī）效率高，但隨著技術不斷（duàn）迭代（dài）更新，越來（lái）越多IC製造商開（kāi）始采用幹法式去膠，幹法式去膠工（gōng）藝不同於傳統的濕法式（shì）去膠工藝，它不需（xū）要浸泡化學溶劑，也不用烘幹，去（qù）膠過程更（gèng）容易控製，避免過多算上基底， 提（tí）高產品成品率。

幹法式去膠又被稱為等離子去膠，其原理同等離子清洗類似，主要通過（guò）氧原子核和光刻膠在等離子（zǐ）體環境中發生反應來去除光刻膠，由於光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻（pín）或微波（bō）作用下，氧氣電離（lí）成氧原子並與光刻膠發（fā）生化學反應，生成一（yī） 氧化碳（tàn），二氧化碳（tàn）和（hé）水等，再（zài）通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除（chú）。