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等(děng)離(lí)子清洗機
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等離子清洗

等(děng)離子清(qīng)洗技術起源於20世(shì)紀初(chū),推動(dòng)了半(bàn)導體和(hé)光電產業的(de)迅速發展,現已廣泛應用(yòng)於精密機(jī)械、汽車製造、航空航天以及汙染防治等眾多高科技領域。等(děng)離子清洗技術的關鍵是低(dī)溫等離子(zǐ)體的(de)應用,它主要依賴於高(gāo)溫、高頻、高能等外界條件產生(shēng),是一種電中性、高能量、全部或部分離子(zǐ)化的氣態物質。低溫等(děng)離(lí)子(zǐ)體的能量約為幾十電子伏特(tè),其中所包含的離子、電(diàn)子、自由基等活性粒子以及紫外線等輻射線很容易(yì)與固體表麵的(de)汙染物分子(zǐ)發生反應而使其脫離,進而可(kě)起到清洗的(de)作用。同(tóng)時由於(yú)低溫(wēn)等離子體的能量(liàng)遠低於高能射(shè)線,因此此技術隻涉(shè)及材料表麵,對材料基體性能不(bú)產生(shēng)影響。

等離(lí)子清洗是一種幹式工(gōng)藝(yì),由於采用電能催化反應,可以提(tí)供(gòng)一個低溫環境,同時排除了濕(shī)式化學清洗所產生的危險和廢液,安全、可(kě)靠、環保。簡而言之,等離子(zǐ)清洗技術結(jié)合了等離子體物理、等離子體(tǐ)化學和氣固兩(liǎng)相(xiàng)界麵反應,可以有效清除殘留在材料表麵的有機汙染物,並(bìng)保證材料的表麵及本(běn)體(tǐ)特性不受影響,目前被考慮為傳(chuán)統濕法清洗的主要替代技術。

更重要的是,等離子體清洗(xǐ)技術不分處理(lǐ)對象的基材類(lèi)型,對(duì)半導體、金屬和大多數高分子材料均有很好的處理效果,並且能夠實現整(zhěng)體、局部以及複雜結構的清洗。此工藝容易實現自動化與數字化流(liú)程,可裝配高精度的控製裝置,精準控製時間(jiān),具(jù)備記憶(yì)功能等(děng)。正是由於等離子體(tǐ)清洗(xǐ)工藝擁有(yǒu)操作簡單、精密可控等顯著優勢,目前已在電子電氣(qì)、材料表麵改(gǎi)性與活化等多個行業普(pǔ)遍應用。同時(shí)可以預見,這種優越的技術也將(jiāng)被複合材料領域所認可並廣泛采用。

等離子清洗技術利用了等離子體在低溫條件下能夠產生(shēng)非平衡電子、反應離子和(hé)自由基的特性。等離子體中的(de)高(gāo)能活性基團轟擊表麵,會造成(chéng)濺射、熱蒸發或光致降解。等離子(zǐ)體特(tè)有(yǒu)的清(qīng)洗過程主要是基於等離子體濺射和刻蝕所帶來的(de)物理和化學變化。

物理濺射的過(guò)程中,等離子體中高能量離子脈衝(chōng)式的表(biǎo)麵轟(hōng)擊會導致表麵原子發生位移(yí),在某些情況下,還會造成(chéng)次表層上(shàng)原子的位移(yí),因此物理濺射沒有選擇性。在(zài)化學蝕刻的過程中,等離子體中的活性基團和表麵原子、分(fèn)子發生反應,產生的揮發性物質可以通(tōng)過泵抽走。在化學(xué)蝕刻過程中,通(tōng)過選擇不同的工藝參數,可以對不同材料實現高選擇性的化學反應刻蝕,然而這種方法對同(tóng)一種材料的(de)刻蝕是各向同性的。在離子增強(qiáng)刻蝕(shí)中,高能(néng)離子撞擊(jī)表麵時,會在表(biǎo)麵形成缺陷(xiàn)、位錯或懸浮鍵(jiàn),這些缺陷提高了表麵的化學(xué)反應刻蝕速率(lǜ),使這種刻蝕過程同時具(jù)備可選擇(zé)性和方向性。

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