等離子（zǐ）體清洗技術在（zài）刻蝕工藝中的應用介紹

等（děng）離子清洗的應用，起源於20世紀（jì）初，隨著高科技產業的快速發展，其應用越來越廣，目前已（yǐ）在眾多高科技領域（yù）中，居於關鍵（jiàn）技術的地（dì）位。等離子清洗技術對產業經濟和（hé）人類（lèi）文明影響最大，首推電（diàn）子資訊工業，尤其是半導體業與光（guāng）電工業。等（děng）離（lí）子清洗已應用於各種電子（zǐ）元件的（de）製造，可以確信，沒有等離子（zǐ）清洗技術，就沒（méi）有今日這麽發達的電子、資訊和通訊（xùn）產業。下麵為大家介紹一下刻蝕工藝中的等離子體清洗（xǐ）技術。

生產集（jí）成電路的第一步是通過掩模向基底（dǐ）透射電路（lù）圖案。光敏性聚合（hé）物光刻膠經紫外線曝光後，受照射部分通過顯影作用去除。一旦電路圖案在光刻膠上定型（xíng）後，即可（kě）通（tōng）過刻蝕工藝將圖案複製到多晶矽等質地的基底薄膜上，從而形成晶體管門電路，同時用鋁或銅實現元器件之間的互連，或用二氧化矽來阻斷互（hù）連路徑。刻蝕的作用在於將印刷圖案（àn）以極高的準確性轉移到基底上，因此刻（kè）蝕工藝必須有選擇地去除不同薄膜，基（jī）底的（de）刻蝕（shí）要（yào）求具備（bèi）高度選擇性。否（fǒu）則，不同導電金屬層之間就會出現短路。另外，刻蝕工（gōng）藝還應具有各向異性，那（nà）樣可保證將印刷圖案精確複製到基底上。

20世紀70年（nián）代，微電子（zǐ）元器件（jiàn）產業開始采用等離子刻蝕技術（shù）。等離子（zǐ）體可將氣體分子離解或分解為化學活性組分，後者與基底的固體表麵發生反應，生成揮（huī）發性物質（zhì），然後被真空泵抽走。通常有四種材料必須進行刻蝕處理：矽（慘雜矽或非（fēi）慘雜矽）、電介質（如SiO2或SiN）、金屬（通（tōng）常為鋁、銅）以及光刻膠。每種材料的化（huà）學性質都（dōu）各不相同。等離子體刻蝕為一（yī）種各向異性刻蝕工藝，可以確保刻蝕圖案的精確（què）性、對特定材料的選擇性以及刻蝕效果的均勻性。等離子體（tǐ）刻蝕中，同（tóng）時發生著基於等離子作用的物理刻蝕和（hé）基於活性基團作用（yòng）的化學刻蝕。等離子體刻蝕工藝始於比較簡單的平板二極管技（jì）術，已經發展到（dào）時用價值（zhí）數百萬（wàn）美元的組合腔室，配備有多頻（pín）發生器、靜電吸盤、外部壁溫控製器以（yǐ）及針對特定薄膜專門設計得多種流程控製傳感器。

可進行刻蝕處理的電介質為二氧化矽和氮（dàn）化矽。這兩種電介質的化學鍵鍵能很高，一般需采用由碳氟（fú）化合物氣體（如CF4、C4F8等）產生的高活性氟等離子體才能將其刻蝕。上述氣體所產生的等離子體（tǐ）化學性（xìng）質（zhì）極為複雜，往往會在基底表麵產生聚合物沉（chén）積，一般采用高能離子將上（shàng）述（shù）沉積物去除。